AlN缓冲层对AlGaN表面形貌的影响

›› 2010, Vol. 23 ›› Issue (7): 55-58.

AlN缓冲层对AlGaN表面形貌的影响

史会芳,李培咸,李慧

(西安电子科技大学技术物理学院,陕西西安710071)

出版日期:2010-07-15 发布日期:2010-09-09
通讯作者: 史会芳(1984-),女,硕士研究生。研究方向:宽禁带半导体材料与器件。
作者简介:史会芳(1984-),女,硕士研究生。研究方向:宽禁带半导体材料与器件。

Effect of AlN Buffer on the Surface Topography of AlGaN

Shi Huifang,Li Peixian,Li Hui

(School of Technical Physics,Xidian University,Xian 710071,China)

Online:2010-07-15 Published:2010-09-09

摘要/Abstract

摘要：

使用扫描电子显微镜、高分辨率X射线衍射、Raman散射、原子力显微镜、透射电镜等测试手段,对高铝组分的AlGaN样品表面形貌的形成原因进行研究。结果表明,AlN缓冲层的晶体质量,对后续外延层的结晶质量具有重要的影响,这也解释了AlGaN表面形貌的形成。

关键词: 表面形貌, AlGaN, AlN缓冲层

Abstract:

SEM,HRXRD,Raman,AFM and TEM are used to investigate the formation of surface topography in high Al component AlGaN epitaxial layers.The result shows that the crystallization of the AlN buffer is of great importance to subsequent growth,which accounts for the formation of surface topography.

Key words: surface topography;AlGaN;AlN buffer

中图分类号:

TN92

史会芳, 李培咸, 李慧. AlN缓冲层对AlGaN表面形貌的影响[J]. , 2010, 23(7): 55-58.

SHI Hui-Fang, LI Pei-Xian, LI Hui. Effect of AlN Buffer on the Surface Topography of AlGaN[J]. , 2010, 23(7): 55-58.

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