基于RRAM双交叉阵列结构的三值存内逻辑电路设计
刘维祎,孙亚男,何卫锋
Design of Ternary Logic-in-Memory Based on RRAM Dual-Crossbars
Weiyi LIU,Yanan SUN,Weifeng HE
电子科技 . 2022, (4): 8 -13 .  DOI: 10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2022.04.002

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