J4 ›› 2011, Vol. 38 ›› Issue (4): 38-41.doi: 10.3969/j.issn.1001-2400.2011.04.007

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SiC欧姆接触特性

王平1,2;杨银堂3;郭立新2;尚韬1;刘增基1
   

  1. (1. 西安电子科技大学 综合业务网理论及关键技术国家重点实验室，陕西 西安  710071；
    2. 西安电子科技大学 理学院，陕西 西安  710071；
    3. 西安电子科技大学 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，陕西 西安  710071)
  • 收稿日期:2010-10-09 出版日期:2011-08-20 发布日期:2011-09-28
  • 通讯作者: 王平
  • 作者简介:王平(1977-)，男，副教授，博士，E-mail: pingwang@xidian.edu.cn．
  • 基金资助:

    国家重点实验室人才基金资助项目(ISN1003006);中国博士后科学基金资助项目(20100481322)

Study of the Ohmic contact property of SiC

WANG Ping1,2;YANG Yintang3;GUO Lixin2;SHANG Tao1;LIU Zengji1
   

  1. (1. State Key Lab. of Integrated Service Networks, Xidian Univ., Xi'an  710071， China;
    2. School of Science, Xidian Univ., Xi'an  710071， China;
    3. Ministry of Education Key Lab. of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian Univ., Xi'an  710071， China)
  • Received:2010-10-09 Online:2011-08-20 Published:2011-09-28
  • Contact: WANG Ping

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摘要：

通过离子注入外延层实现高浓度掺杂和直接采用高掺杂外延层两种方法分别制备了4H-SiC欧姆接触，对应退火条件分别为(950℃，Ar，30min)和(1000℃，N2，2min)．采用传输线法测试得到的比接触电阻分别为1.359×10-5Ω·cm2和3.44×10-6Ω·cm2．二次离子质谱分析表明，高温退火过程中镍硅化合物和TiC的形成有利于欧姆接触特性．

关键词: 4H-SiC, 欧姆接触, 二次离子质谱

Abstract:

Multi-layer metal Ohmic contacts to 4H-SiC are investigated on the N+ion implanted layer with 950℃ annealing in Ar for 25 minutes and the n type epitaxial layer with a carrier concentration of 1.0×1019cm-3 with 1000℃ annealing in N2 for 2 minutes. The specific contact resistances obtained by the transmission line method (TLM) are 1.359×10-5Ω·cm2 and 3.44×10-6Ω·cm2, respectively. SIMS measurements show that the formation of the Ni silicide and the TiC facilitates to make the contacts become more Ohmic after annealing.

Key words: silicon carbide, Ohmic contacts, secondary ion mass spectrometry

中图分类号: 

  • TN305
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