应变Si1-xGex (100)电子散射几率

doi:10.3969/j.issn.1001-2400.2012.03.013

J4 ›› 2012, Vol. 39 ›› Issue (3): 86-89+105.doi: 10.3969/j.issn.1001-2400.2012.03.013

应变Si_1-xGe_x (100)电子散射几率

赵丽霞;张鹤鸣;宣荣喜;胡辉勇

(西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，陕西西安 710071)

收稿日期:2011-03-03 出版日期:2012-06-20 发布日期:2012-07-03
通讯作者: 赵丽霞
作者简介:赵丽霞(1969-)，女，西安电子科技大学博士研究生，E-mail: zhaolixia@poshing.cn．
基金资助:
国家部委资助项目(51308040203, 6139801);中央高校基本科研业务费资助项目(72105499, 72104089);陕西省自然科学基础研究计划资助项目(2010JQ8008)

Scattering rates of electrons in strained Si_1-xGe_x (100)

ZHAO Lixia;ZHANG Heming;XUAN Rongxi;HU Huiyong

(Ministry of Education Key Lab. of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian Univ., Xi'an 710071， China)

Received:2011-03-03 Online:2012-06-20 Published:2012-07-03
Contact: ZHAO Lixia

摘要/Abstract

摘要：

基于费米黄金法则及玻尔兹曼方程碰撞项近似理论，针对离化杂质、声学声子、谷间声子及合金无序散射机制，研究了应变Si_1-xGe_x/(100)Si材料电子散射几率与应力及能量的关系．结果表明:在应力的作用下，应变Si_1-xGe_x/(100)Si材料声学声子及f₂、f₃型谷间声子散射几率显著降低．Si基应变材料电子迁移率增强与其散射几率密切相关．

关键词: 应变Si_1-xGe_x, 电子, 散射

Abstract:

Based on Fermi's golden rule and the theory of Boltzmann collision term approximation, scattering rates of electrons in strained Si_1-xGe_x /(100)Si is studied, including the ionized impurity, acoustic phonon, intervalley phonon and alloy disorder scattering rates. It is found that scattering rates of acoustic phonons and f₂ and f₃ intervalley phonons decrease obviously under strain. One of the two factors which lead to the electron mobility enhancement in Si-based strained materials is the electron scattering rate.

Key words: strained Si_1-xGe_x , electron, scattering

中图分类号:

TN432

赵丽霞;张鹤鸣;宣荣喜;胡辉勇. 应变Si_1-xGe_x (100)电子散射几率[J]. J4, 2012, 39(3): 86-89+105.

ZHAO Lixia;ZHANG Heming;XUAN Rongxi;HU Huiyong. Scattering rates of electrons in strained Si_1-xGe_x (100)[J]. J4, 2012, 39(3): 86-89+105.

参考文献

［1］ Kim J, Fischetti M V. Electronic Band Structure Calculations for Biaxially Strained Si, Ge and Ⅲ-Ⅴ Semiconductors［J］. Journal of Applied Physics, 2010, 108: 013710.
［2］ Chang Shutong, Huang J, Tang Ming, et al. Effective Mass and Subband Structure in a PMOS Inversion Layer with External Stress［J］. Thin Solid Films, 2010, 518(s): 154-158.
［3］ Song Jianjun, Zhang Heming, Hu Huiyong, et al. Calculation of Band Structure in (101)-biaxially Strained Si［J］. Science in China, Series G: Physics, Mechanics and Astronomy, 2009, 52(4): 546-550.
［4］戴显英, 胡辉勇, 张鹤鸣, 等. UVCVD/UHVCVD技术制备SiGe HBT材料［J］. 西安电子科技大学学报, 2003, 30(3): 306-308.
Dai Xianying, Hu Huiyong, Zhang Heming, et al. Growth of the SiGe HBT Material by UVCVD/UHVCVD［J］. Journal of Xidian University, 2003, 30(3): 306-308.
［5］戴显英, 郝东艳, 张鹤鸣, 等. SiGe CMOS结构与模拟分析［J］. 西安电子科技大学学报, 2004, 31(3): 338-341.
Dai Xianying, Hao Dongyan, Zhang Heming, et al. A Study of Simulation and an Analysis of a SiGe CMOS Structure［J］. Journal of Xidian University, 2004, 31(3): 338-341.
［6］ Song Jianjun, Zhang Heming, Hu Huiyong, et al. Valence Band Structure of Strained Si/(111)Si_1-xGe_x ［J］. Science in China, Series G: Physics, Mechanics and Astronomy, 2010, 53(3): 454-457.
［7］ Olsen S H, Yan L, Aqaiby R, et al. Strained Si/SiGe MOS Technology: Improving Gate Dielectric Integrity ［J］. Microelectronic Engineering, 2009, 86(3): 218-223.
［8］ Smirnov S, Kosina H. Monte Carlo Modeling of the Electron Mobility In Strained Si_1-xGe_x Layers on Arbitrarily Oriented Si_1-yGe_y Substrates［J］. Solid-State Electronics, 2004, 48(8): 1325-1335.
［9］陈星弼, 鄢俊明. 固体物理导论［M］. 北京: 国防工业出版社, 1979: 190.
［10］ Song Jianjun, Zhang Heming, Shu Bin, et al. The K.P Dispersion Relation Near the Δⁱ Valley in Strained Si_1-xGe_x /Si ［J］. Chinese Journal of Semiconductors, 2008, 29(3): 442-446.
［11］叶修良. 小尺寸半导体器件的蒙特卡罗模拟［M］. 北京: 科学出版社, 1997: 280.
［12］刘恩科, 朱秉升, 罗晋生. 半导体物理学［M］. 北京: 国防工业出版社, 1994: 367.

[1]	王昕,常贵清,池琛琛. 广角SAR各向异性散射目标分离成像[J]. 西安电子科技大学学报, 2021, 48(2): 109-116.
[2]	陆金文,闫华,殷红成,张磊,董纯柱. 用于三维散射中心SBR建模的边缘绕射修正[J]. 西安电子科技大学学报, 2021, 48(2): 117-124.
[3]	谢垚,黄默,王长元,张圆圆,荆琛. 一种改进的宽波束线阵雷达物位测量算法[J]. 西安电子科技大学学报, 2021, 48(2): 165-172.
[4]	胡利平,闫华,钟卫军,殷红成,王超. 舰船目标三维散射中心建模及SAR快速仿真方法[J]. 西安电子科技大学学报, 2021, 48(2): 72-83.
[5]	翟社平,汪一景,陈思吉. 区块链技术在电子病历共享的应用研究[J]. 西安电子科技大学学报, 2020, 47(5): 103-112.
[6]	丁勇,相恒奎,罗得寸,邹秀清,梁海. 一种结合Fabric技术的电子存证方案[J]. 西安电子科技大学学报, 2020, 47(5): 113-121.
[7]	戈勤,徐波,陶洪琪,王维波,马晓华,郭方金,刘宇. W波段3.4 W/mm GaN功率放大器MMIC[J]. 西安电子科技大学学报, 2020, 47(1): 24-29.
[8]	胡盟霄,卢旺,徐灿,来嘉哲. 采用GRU模型的卫星RCS异常检测[J]. 西安电子科技大学学报, 2019, 46(6): 125-130.
[9]	刘智鑫,赵拥军. 约束准则下扩展时差直方图脉冲分选配对方法[J]. 西安电子科技大学学报, 2019, 46(6): 102-111.
[10]	丁明,张书玲,张琛,张军. 一种航空电子系统安全性需求验证方法[J]. 西安电子科技大学学报, 2019, 46(3): 66-73.
[11]	赵福斌,仇原鹰,贾斐,马洪波. 热振加载条件下电子封装结构的疲劳寿命分析[J]. 西安电子科技大学学报, 2019, 46(2): 54-60.
[12]	苏秦, 顾宗静, 林中朝, 赵勋旺, 张玉. 并行区域分解法分析千波长目标散射特性[J]. 西安电子科技大学学报, 2018, 45(6): 7-13.
[13]	杨强荣, 王美玲, 于华超. 无人地面车辆车道级路径引导方法[J]. 西安电子科技大学学报, 2018, 45(6): 156-161.
[14]	王强;郭立新;刘忠玉. 粗糙海面与上方多目标瞬态电磁散射混合算法[J]. 西安电子科技大学学报, 2018, 45(5): 57-63.
[15]	刘洁怡;张林让;于恒力;唐世阳; 赵珊珊. 分集MIMO雷达目标回波相关性分析[J]. 西安电子科技大学学报, 2018, 45(4): 69-74.

应变Si_1-xGe_x (100)电子散射几率

Scattering rates of electrons in strained Si_1-xGe_x (100)

PDF (PC)

赞

可视化

摘要/Abstract

引用本文

使用本文

参考文献

相关文章 15

Metrics

本文评价

推荐阅读 0

应变Si1-xGex (100)电子散射几率

Scattering rates of electrons in strained Si1-xGex (100)

PDF (PC)

赞

可视化

摘要/Abstract

引用本文

使用本文

参考文献

相关文章 15

Metrics

本文评价

推荐阅读 0

应变Si_1-xGe_x (100)电子散射几率

Scattering rates of electrons in strained Si_1-xGe_x (100)