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SiC抗辐照特性的分析

尚也淳;张义门;张玉明   

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  • 出版日期:1999-12-20 发布日期:1999-12-20

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Authors   

  • Online:1999-12-20 Published:1999-12-20

摘要: 用半导体抗辐照的机理说明了SiC材料具有良好的辐射特性。实验数据的对比表明,SiC在器件发光二极管(LED),结型场效应晶体管(JFET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)上对辐照不敏感。从原理上预测了SiC集成电路的单粒子反转(SEU)截面,结果说明SiC集成电路具有好的抗SEU能力。(作者单位:西安电子科技大学 微电子所 陕西 西安 710071)

关键词: 碳化硅, 辐照, 材料, 器件

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中图分类号: 

  • TN304.0