摘要： 建立了MOS控制晶闸管最大可关断电流的解析关系式。在该关系式中，关断电流只与晶闸管中耦合晶体管的电流放大系数及晶闸管射极短路电流有关。另外，基于MOS控制晶闸管的仿真模型，模拟分析了最大可关断电流与它们间的关系。解析与模拟分析结果符合较好。结果表明，耦合晶体管电流放大系数及晶闸管射极短路电流的设计决定了器件的最大可关断电流。（作者单位：西安电子科技大学 微电子研究所 陕西 西安 710071）
中图分类号:
张鹤鸣;戴显英;林大松. MOS控制晶闸管的最大可关断电流[J]. J4, 2000, 27(2): 133-138.
Authors. title[J]. J4, 2000, 27(2): 133-138.
