SiC单片集成电路工艺技术

王剑屏;郝跃;彭军

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摘要： 对宽禁带半导体材料碳化硅的异质外延技术以及碳化硅集成电路单项工艺技术进行了讨论，比较了不同工艺对集成电路制造的影响。介绍了工作于5V电压下的碳化硅数字互补型金属氧化物半导体集成电路工艺技术。（作者单位：西安电子科技大学微电子所陕西西安 710071）

关键词: 碳化硅集成电路, 异质外延, 界面态

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王剑屏;郝跃;彭军. SiC单片集成电路工艺技术[J]. J4, 2000, 27(2): 228-233.

Authors. title[J]. J4, 2000, 27(2): 228-233.

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