摘要: 采用非本征元件的参数作为本征元件参数函数的自变量的方法,求解金属肖特基势垒场效应晶体管小信号等效电路模型,并采用相对误差来构建目标函数。以场效应晶体管在零偏置状态的非本征元件值作为初值,通过优化求得了热场效应晶体管的本征元件值。该方法具有收敛快,精度高和效率高的优点,便于移植到微波器件计算机辅助设计和模拟软件中。
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暂时无作者信息. 功率GaAs MESFET小信号等效电路模型的参数求解[J]. J4, 2001, 28(4): 462-467.
Authors. title[J]. J4, 2001, 28(4): 462-467.