J4
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常远程;张义门;张玉明
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摘要: 在分析4H-SiC肖特基势垒二极管正向电流热电子发射理论的基础上,计算了肖特基势垒高度Φeff和串联电阻Ron.通过对反向电流各种输运机制的分析,提出了一种计算反向电流密度的理论模型。计算结果与实验数据的比较表明,隧道效应是反向电流的主要输运机理。
关键词: 肖特基势垒二极管, 热电子发射, 反向电流, 隧道效应
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常远程;张义门;张玉明. 4H-SiC肖特基势垒二极管伏-安特性的解析模型[J]. J4, 2001, 28(4): 467-472.
Authors. title[J]. J4, 2001, 28(4): 467-472.
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