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4H-SiC肖特基势垒二极管伏-安特性的解析模型

常远程;张义门;张玉明   

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  • 出版日期:2001-08-20 发布日期:2001-08-20

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Authors   

  • Online:2001-08-20 Published:2001-08-20

摘要: 在分析4H-SiC肖特基势垒二极管正向电流热电子发射理论的基础上,计算了肖特基势垒高度Φeff和串联电阻Ron.通过对反向电流各种输运机制的分析,提出了一种计算反向电流密度的理论模型。计算结果与实验数据的比较表明,隧道效应是反向电流的主要输运机理。

关键词: 肖特基势垒二极管, 热电子发射, 反向电流, 隧道效应

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中图分类号: 

  • TN303