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用碳饱和硅熔体制备的3C-SiC薄片及其光致发光

马剑平;卢刚;陈治明   

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  • 出版日期:2001-08-20 发布日期:2001-08-20

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Authors   

  • Online:2001-08-20 Published:2001-08-20

摘要: 将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化,坩埚内壁石墨自然溶解于硅熔体中形成碳饱和的硅熔体,在石墨表面形成SiC多晶薄层并通过改变工艺条件使薄层变厚形成厚约0.5mm的SiC多晶薄片。X射线衍射(XRD)、Raman散射等分析表明所制备的样品为3C-SiC多晶体。采用He-Cd激光325nm线在不同温度下对实现样品进行了光致发光(PL)测试分析。PL实验结果表明随着温度的变化,PL发光中心发生蓝移,其中心由2.13eV移至2.39eV。

关键词: 熔体, 3C-SiC, 薄片, 光致发光

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中图分类号: 

  • TN304