摘要： 用MEDICI二维模拟软件对MOSFET的单粒子翻转现象进行了计算 ,力图从理论上建立分析器件单粒子翻转的可靠手段 .通过输入不同粒子的线性能量传输值 ,得到了某一结构器件的翻转概率与线性能量传输值的关系曲线 .分析了不同结构参数的变化对单粒子翻转的影响 .模拟得到的结果与电荷漏斗模型相吻合 ,表明了所建立的物理模型的正确性.
中图分类号:
郭红霞;张义门;陈雨生;周辉;肖伟坚;龚仁喜;贺朝会;龚建成. MOSFET单粒子翻转效应的二维数值模拟[J]. J4, 2002, 29(4): 461-465.
Authors. title[J]. J4, 2002, 29(4): 461-465.
