1/f噪声检测MOSFET静电潜在损伤的理论基础

1/f噪声检测MOSFET静电潜在损伤的理论基础

马仲发;庄奕琪;杜磊;薛丽君;万长兴;施超

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出版日期:2002-10-20 发布日期:2002-10-20

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Authors

Online:2002-10-20 Published:2002-10-20

摘要/Abstract

摘要： 分析了MOSFET静电损伤的机理,发现在静电应力期间,随着应力次数的增加,在SiO2体内和Si/SiO2界面同时产生潜在损伤积累.Si/SiO2界面较SiO2层体内更容易产生缺陷,而且缺陷浓度更大.用逾渗理论模拟了MOSFET中1/f噪声与边界陷阱浓度的关系,得出了与实验相一致的定性结果,为MOSFET静电潜在损伤的沟道漏源电流1/f噪声检测方法提供了理论依据.

关键词: 静电, 潜在损伤, 无损检测, 1/f噪声, 逾渗

Key words: keywords

中图分类号:

TN34

马仲发;庄奕琪;杜磊;薛丽君;万长兴;施超. 1/f噪声检测MOSFET静电潜在损伤的理论基础[J]. J4, 2002, 29(5): 575-580.

Authors. title[J]. J4, 2002, 29(5): 575-580.

[1]	刘湖云, 梁海莲, 顾晓峰, 马艺珂, 王鑫. ESD应力下改进型SCR器件设计与漏电特性优化[J]. 西安电子科技大学学报, 2018, 45(6): 118-122.
[2]	陈迪平;董刚. 3.3V CMOS工艺下5V电源轨的ESD箝位电路[J]. 西安电子科技大学学报, 2018, 45(5): 96-101.
[3]	吴晓鹏;杨银堂;刘海霞;董刚. 沟道尺寸对深亚微米GGNMOS保护器件特性的影响[J]. J4, 2015, 42(6): 113-117.
[4]	杨兆年;刘红侠;朱嘉;费晨曦. 90nm CMOS工艺下电压触发的ESD检测电路[J]. J4, 2015, 42(3): 54-60.
[5]	杨兆年;刘红侠;朱嘉. 90nm CMOS工艺下3×V_DD容限静电检测电路[J]. J4, 2015, 42(1): 56-61+206.
[6]	吴晓鹏;杨银堂;董刚;高海霞. 漏极接触孔到栅间距对GGNMOS保护器件的影响[J]. J4, 2014, 41(4): 26-30.
[7]	李伟华;杜磊;包军林;马中发. MOSFET辐照损伤1/f噪声产生机制的定量鉴别方法[J]. J4, 2011, 38(4): 6-10+48.
[8]	刘红侠;刘青山. 0.18μm CMOS工艺下的新型ESD保护电路设计[J]. J4, 2009, 36(5): 867-870+926.
[9]	朱志炜;郝跃;方建平;刘红侠. 静电放电应力下深亚微米栅接地NMOSFET源端热击穿机理 [J]. J4, 2006, 33(6): 911-916.
[10]	杜鸣;郝跃. CMOS工艺中栅耦合ESD保护电路[J]. J4, 2006, 33(4): 547-549.
[11]	马仲发;庄奕琪;杜磊;包军林;万长兴;李伟华. 栅氧化层击穿的统一逾渗模型[J]. J4, 2004, 31(1): 54-58.
[12]	纪奕才;贺秀莲;张晓刚. 架设在凹形接地面上倒L天线的研究[J]. J4, 2003, 30(4): 506-510.
[13]	薛丽君1;杜磊1;庄奕琪1;徐卓2. VLSI金属互连电迁移1/f^γ噪声特性研究[J]. J4, 2003, 30(1): 70-74.
[14]	暂时无作者信息. 静电绘图机潜像头的设计及馈电技术的研究[J]. J4, 2002, 29(3): 294-296.
[15]	高有行;姜涌;徐家辉. 彩色静电绘图机套色误差的检测与校正方法[J]. J4, 2002, 29(1): 56-59.

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