摘要： 从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及界面态的能量分布变化的角度，比较并分析了3种采用54HC电路工艺制作的MOS电容样品的总剂量电离辐射损伤退化，结果显示，采用单绝缘栅介质的Si/SiO2系统的双绝缘栅介质的Si/SiO2/Si3N4系统表现出对总剂量辐射损伤的明显特性差异．在抗总剂量电离辐射能量上，双绝缘栅介质结构甚至劣于常规非加固工艺的单介质Si/SiO2系统结构．同时，对辐射感生界面态的能量分布随辐照总剂量的变化进行了分析，发现试验的3种样品都存在一类深能级界面态，位于中带以上约80meV的位置，该类界面态随辐照剂量的增加最明显．
中图分类号:
