4H-SiC器件击穿特性的新型解析模型

4H-SiC器件击穿特性的新型解析模型

吕红亮;张义门;张玉明

暂时无单位信息

出版日期:2003-12-20 发布日期:2003-12-20

title

Authors

Online:2003-12-20 Published:2003-12-20

摘要/Abstract

摘要： 基于4H-SiC材料参数，同时考虑雪崩碰撞和带间隧穿两种机制，建立了一套新型击穿解析模型. 模型中首次考虑了雪崩碰撞和带间隧穿两种机制，能够反映温度、掺杂浓度等参数对器件击穿特性的影响. 利用这一模型计算得到4H-SiC微波功率MESFET极限功率特性. 采用MATLAB编程工具计算得到的结果与实验结果符合较好.

关键词: 碳化硅, 雪崩击穿, 直接隧穿, 解析模型, 最大功率密度

Key words: keywords

中图分类号:

TN303

吕红亮;张义门;张玉明. 4H-SiC器件击穿特性的新型解析模型[J]. J4, 2003, 30(6): 771-775.

Authors. title[J]. J4, 2003, 30(6): 771-775.

[1]	白志强,张艺蒙,汤晓燕,宋庆文,张玉明,戴小平,高秀秀,齐放. 氮钝化对SiC MOS电容栅介质可靠性的影响[J]. 西安电子科技大学学报, 2022, 49(3): 206-212.
[2]	周郁明, 蒋保国, 陈兆权, 王兵. 场效应晶体管短路失效的数值模型[J]. 西安电子科技大学学报, 2019, 46(4): 66-73.
[3]	周郁明;刘航志;杨婷婷;王兵. 碳化硅MOSFET电路模型及其应用[J]. 西安电子科技大学学报, 2018, 45(3): 97-101+129.
[4]	马格林;张玉明;张义门;马仲发. 一种碳化硅外延层质量评估新技术[J]. J4, 2011, 38(6): 37-43+96.
[5]	汤晓燕;张玉明;张义门. 4H-SiC n-MOSFET新型反型层迁移率模型[J]. J4, 2011, 38(1): 42-46.
[6]	刘红霞;宋久旭;张鹤鸣. (4,4)碳纳米管/碳化硅纳米管异质结的输运特性[J]. J4, 2010, 37(3): 520-523.
[7]	贾护军;杨银堂;李跃进. 多晶SiC/多孔硅结构材料的APCVD生长及表征 [J]. J4, 2009, 36(2): 298-300.
[8]	郭辉;张义门;张玉明;汤晓燕;冯倩. N型Ni基SiC欧姆接触比接触电阻的精确求解 [J]. J4, 2008, 35(5): 842-845.
[9]	韩茹;杨银堂. 6H-SiC NMOS与PMOS温度特性分析 [J]. J4, 2007, 34(1): 16-20.
[10]	王平(1);杨银堂(1);杨燕(1);贾护军(1);屈汉章(2). n沟6H-SiC MOSFET直流特性和小信号参数解析模型[J]. J4, 2005, 32(1): 89-93.
[11]	王悦湖;张义门;张玉明;陈锐标;王雷;周拥华. Ni/4H-SiC肖特基二极管高温特性研究[J]. J4, 2004, 31(1): 63-667.
[12]	王剑屏;郝跃;彭军;朱作云;张永华. 碳化硅异质外延薄膜生长及表面缺陷研究[J]. J4, 2002, 29(4): 465-470.
[13]	吕红亮;张义门;张玉明. 高温SiC MESFET特性模拟研究[J]. J4, 2001, 28(6): 776-781.
[14]	王源;张义门;张玉明. 功率GaAs-HBT热分布的解析模型[J]. J4, 2001, 28(5): 625-630.
[15]	韩小亮;朱作云;李跃进. 高温半导体压力传感器技术[J]. J4, 2001, 28(1): 120-125.

4H-SiC器件击穿特性的新型解析模型

title

赞

可视化

被引次数

摘要/Abstract

引用本文

使用本文

参考文献

相关文章 15

Metrics

本文评价

推荐阅读 0