J4

• 研究论文 •    下一篇

NBTI和HCI混合效应对PMOSFET特性退化的影响

暂时无作者信息   

  1. 暂时无单位信息
  • 出版日期:2003-08-20 发布日期:2003-08-20

title

Authors   

  • Online:2003-08-20 Published:2003-08-20

摘要: 随着器件尺寸向超深亚微米的不断发展,负偏置温度不稳定性和热载流子注入对器件可靠性的影响越来越严重.研究了负偏置温度不稳定性和热载流子注入共同作用下的PMOSFET的退化问题.首先研究了高温沟道热载流子应力模式下负偏置温度不稳定性与热载流子注入两种效应对器件阈值电压和跨导漂移的影响,这两种效应的共同作用表现为一种负偏置温度不稳定性效应增强的热载流子注入效应;然后给出了这种混合效应的解释.最后提出了一种分解负偏置温度不稳定性和热载流子注入这两种效应的方法.

关键词: 负偏置温度不稳定性效应, 热载流子注入效应, PMOSFETs, 可靠性

Key words: keywords

中图分类号: 

  • TN303.12