垂直式MOCVD中生长参数对GaN材料生长的影响
冯兰胜;过润秋;张进成
Effect of growth parameters on GaN in a vertical MOCVD reactor
FENG Lansheng;GUO Runqiu;ZHANG Jincheng
西安电子科技大学学报 . 2016, (5): 178 -182 .  DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2016.05.031

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