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硅通孔热应力导致器件迁移率变化分析
董刚;姚奕彤;刘荡;杨银堂
Analysis of through silicon via thermal stress induced device mobility variations
DONG Gang;YAO Yitong;LIU Dang;YANG Yintang
西安电子科技大学学报 . 2017, (
6
): 75 -78+98 . DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2017.06.014