一种低温漂、高精度CMOS带隙基准源设计

›› 2012, Vol. 25 ›› Issue (8): 6-.

一种低温漂、高精度CMOS带隙基准源设计

王宇星,曹校军,姜盛瑜,吴金

(1.无锡科技职业学院尚德光伏学院,江苏无锡 214028;2.海力士半导体中国有限公司制造技术部,江苏无锡 214028;3.东南大学无锡分校,江苏无锡 214135)

出版日期:2012-08-15 发布日期:2012-08-28
作者简介:王宇星(1980—),女,硕士,讲师。研究方向:数模混合IC设计。姜盛瑜(1979—),男,工程师。研究方向:器件工艺设计。吴金(1965—),男,教授。研究方向:模拟,数模混合集成电路设计。

Design of a Low Temperature Float High Precision CMOS Bandgap Reference

WANG Yu-Xing, CAO Xiao-Jun, JIANG Sheng-Yu, WU Jin

(1.Suntech V College,Wuxi College of Science and Technology,Wuxi 214028,China;
2.Manufacturing Technology Division,Hynix Semiconductor China Ltd,Wuxi 214028,China;
3.Wuxi Campus,Southeast University,Wuxi 214135,China)

Online:2012-08-15 Published:2012-08-28

摘要/Abstract

摘要：

基于线性分段补偿的基本原理,依据输出支路内部的温度负反馈结构,提出了一种结构简单、适应不同开口方向的高阶补偿方法。并设计了一种基于电流镜结构的低温漂、高精度的电压基准电路。CSMC 0.35 μm CMOS工艺的仿真结果表明,经高阶补偿的电压模基准,在-40~125 ℃温区范围内温度系数为2.84×10^-6/℃,低频100 Hz时的PSRR达到-70.6 dB,10 kHz为-63.36 dB。当电源电压在2~3 V范围内变化时,其电压值波动为3 mV/V。整个带隙基准电压源具有较好的综合性能。

关键词: CMOS带隙基准源, 低压, 曲率补偿, 温度系数

Abstract:

Based on the basic principles of linear segmented compensation and the output branch structure of the internal temperature of negative feedback,this paper proposes a novel structure which is simple and adapts to high order compensation methods of different opening directions.It also designs a low temperature float high precision voltage reference circuit based on the current mirror structure.Simulation by the CSMC 0.35 μm CMOS process indicates this bandgap reference can reach a temperature coefficient of 2.84 ℃ from -40 to125 ℃.PSRR can reach -70.6 dB and -63.36 dB at 100 Hz and 10 kHz PSRR,respectively.When the power supply voltage is in the range 2~3 V,the voltage fluctuation value is 3 mV/V.The proposed BGR has good overall performance.

Key words: CMOS bandgap reference;low voltage;curvature compensation;temperature coefficient

中图分类号:

TN432

王宇星, 曹校军, 姜盛瑜, 吴金. 一种低温漂、高精度CMOS带隙基准源设计[J]. , 2012, 25(8): 6-.

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