[1]李树玮,小池一步.ZnO材料的生长及表征[J].液晶与显示,2004(3):5-6.
[2]洪伟铭.ZnO∶Al薄膜的制备及表征[J].半导体光电,2007(3):18-19.
[3]彭少麒,章佩娴,叶贤京.射频溅射无定形硅性质研究[J].中山大学学报:自然科学版,1982(3):14-15.
[4]HONG R J,SHAO J D,HE H B,et al.Effects of oxygen partial pressure on optical absorption edge and UV emission energy of ZnO films[J].Chinese Optics Letters,2005,3(7):428-431.
[5]郑丁葳,倪晟,赵强.不同氧分压下直流反应溅射ZnO薄膜的结构和光学特性[J].光学学报,2007,27(4):739-743.
[6]德国标准化学会.DIN 50431-1988[S].德国:DE-DIN,1988.
[7]晏敏.智能四探针电阻率测试仪研究及开发[D].长沙:湖南大学,2005.
[8]俞振南,姜乐,熊志华,等.磁控溅射技术制备ZnO透光薄膜[J].南昌大学学报:理科版,2007(5):10-12.
[9]李倩,郝亮,庞文宁.GaAs极化电子源激活的yo-yo过程研究 [J].物理学报,2008,57(1):30-31. |