一种带隙基准电压源的设计与仿真

›› 2011, Vol. 24 ›› Issue (7): 3-.

一种带隙基准电压源的设计与仿真

李勇峰,黄娟,王丹,王龙业

(1.西藏大学工学院,西藏拉萨 850000;2.西南交通大学信息科学与技术学院,四川成都 610031)

出版日期:2011-07-15 发布日期:2011-08-16
作者简介:李勇峰(1980—),男,硕士,讲师。研究方向:模拟集成电路。
基金资助:
西藏大学国家级实验教学示范中心基金资助项目

Design and Simulation of a Bandgap Reference Circuit

LI Yong-Feng, HUANG Juan, WANG Dan, WANG Long-Ye

(1.School of Engineering,Tibet University,Lhasa 850000,China;
2.School of Information Science & Technology,Southwest Jiaotong University,Chengdu 610031,China)

Online:2011-07-15 Published:2011-08-16

摘要/Abstract

摘要：

设计了一款带隙基准电压源,基于0.18 μm的CMOS工艺,在Hspice下仿真,仿真结果表明,温度在-25~ 80 ℃内变化时,温度系数为9.14×10^-6 ℃;电源电压在3~5 V之间变化时,基准电压在1 250±43 mV 内变化,满足设计要求。

关键词: 带隙基准, 温度系数, 互补金属氧化物半导体(CMOS)

Abstract:

By using 0.18 μm complementary metal oxide semiconductor (CMOS) model,a bandgap reference circuit is designed.The circuit is simulated by Hspice.When operating at a 5 V power supply with the temperature range from -25 to 80 ℃,the device has a temperature coefficient of 9.14×10^-6 ℃.It outputs a voltage of 1 250±43 mV at room temperature,when the power supply varies from 3 V to 5 V.

Key words: bandgap reference;temperature coefficient;complementary metal oxide semiconductor (CMOS)

中图分类号:

TN710.4

李勇峰, 黄娟, 王丹, 王龙业. 一种带隙基准电压源的设计与仿真[J]. , 2011, 24(7): 3-.

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