MPP CCD暗电流温度特性研究

›› 2012, Vol. 25 ›› Issue (2): 23-.

MPP CCD暗电流温度特性研究

雷仁方

(重庆光电技术研究所第1研究室,重庆 400060)

出版日期:2012-02-15 发布日期:2012-02-29
作者简介:雷仁方(1979—),男,硕士,工程师。研究方向:CCD工艺和器件。

Study of the Temperature Characteristic of the Dark Current of MPP CCD

LEI Ren-Fang

(No.1 Research Section,Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,China)

Online:2012-02-15 Published:2012-02-29

摘要/Abstract

摘要：

研究了MPP电荷耦合器件(CCD)暗电流和暗电流非均匀性的温度特性,并与非MPP CCD的暗电流和暗电流非均匀性的温度特性进行了对比分析。研究结果表明,MPP CCD抑制了表面暗电流,相较于非MPP CCD具有较低的暗电流和暗电流非均匀性,可以承受更高的工作温度。

关键词: MPP CCD, 暗电流, 温度特性

Abstract:

The temperature characteristic of the dark current and dark current nonuniformity of both MPP CCD and non-MPP CCD is investigated.The results indicate that MPP CCD can suppress the surface dark current with lower dark current and dark current nonuniformity as contrasted with non-MPP CCD,and can work at higher temperature.

Key words: MPP CCD;dark current;temperature feature

中图分类号:

TN751.1

雷仁方. MPP CCD暗电流温度特性研究[J]. , 2012, 25(2): 23-.

LEI Ren-Fang. Study of the Temperature Characteristic of the Dark Current of MPP CCD[J]. , 2012, 25(2): 23-.

[1]	牛占鲁,苏章站,陈萍萍. 高稳双层恒温晶振的设计[J]. 电子科技, 2019, 32(7): 33-37.
[2]	赵爽,祝元坤,王现英. 环境气氛对二维超薄ZnO纳米片紫外探测器性能的影响[J]. 电子科技, 2019, 32(2): 66-69.
[3]	雷仁方,王艳,高建威,钟玉杰. CCD表面暗电流特性研究[J]. , 2014, 27(5): 26-.
[4]	胡琳. CCD图像传感器的现状及未来发展[J]. , 2010, 23(6): 82-.