利用AlxGa1-xN在Si(111)上生长无裂纹GaN

›› 2014, Vol. 27 ›› Issue (1): 115-.

利用Al_xGa_1-xN在Si(111)上生长无裂纹GaN

王振晓,张锴,李涛,王丹丹,韩孟序

(西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室,陕西西安 710071)

出版日期:2014-01-15 发布日期:2014-01-12
作者简介:王振晓(1989—),男,硕士研究生。研究方向:Si基GaN的生长。E-mail:zhenxiao_wang@163.com

Crack-free GaN Growth on Si(111) with Step-graded Al_xGa_1-x N Intermediate Layers

WANG Zhen-Xiao, ZHANG Jie, LI Tao, WANG Dan-Dan, HAN Meng-Xu

(Key Lab of Wide Band-gap Semiconductor Materials & Device,Xidian University,Xi'an 710071,China)

Online:2014-01-15 Published:2014-01-12

摘要/Abstract

摘要：

利用LP-MOCVD技术在Si(111)衬底上,用不同Al组分的AlGaN做缓冲层,再在缓冲层上生长GaN薄膜,采用XRD技术和原子力显微镜(AFM)分析样品知,样品整体的结晶质量良好。通过分析外延层的拉曼谱得出GaN中存在应力,而且是张应力,通过计算得出,应力为0.23 GPa。

关键词: MOCVD, Si(111), GaN, 双晶X射线衍射

Abstract:

Crack-free GaN epitaxial layer is introduced by Low Pressure-Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (LP-MOCVD) with step-graded AlGaN buffer layers on Si(111) substrate.The sample has a good crystallization quality analyzed by X-ray diffraction (XRD) and Aomic Force Microscope (AFM).There is tensile stress of 0.23 GPa in GaN epetaxial layer through Raman spectrum.

Key words: MOCVD;Si(111);GaN;XRD

中图分类号:

TN304.1

王振晓, 张锴, 李涛, 王丹丹, 韩孟序. 利用Al_xGa_1-xN在Si(111)上生长无裂纹GaN[J]. , 2014, 27(1): 115-.

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