基于2ED020I12-F2的IGBT驱动电路设计

›› 2015, Vol. 28 ›› Issue (1): 5-.

基于2ED020I12-F2的IGBT驱动电路设计

马立新,费少帅,张海兵,栾健

(上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海 200093)

出版日期:2015-01-15 发布日期:2015-01-22
作者简介:马立新(1960—),男,教授。研究方向:电力系统稳定性与优化运行,电气系统故障诊断与模式识别,群体智能与智能电网。E-mail:malx_aii@sina.com。费少帅(1990—),男,硕士研究生。研究方向:电力系统现代控制技术。
基金资助:
国家自然科学基金资助项目(61205076);上海市研究生创新基金项目资助项目(JWCXSL1302)

Design of 2ED020I12-F2-based IGBT Driving Circuit

MA Lixin,FEI Shaoshuai,ZHANG Haibing,LUAN Jian

(School of Photoelectric Information and Computer Engineering,University of Shanghai for Science and Technology,Shanghai 200093,China)

Online:2015-01-15 Published:2015-01-22

摘要/Abstract

摘要：

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动电路的设计是保证系统可靠运行的重要环节。文中基于英飞凌的磁隔离驱动芯片2ED020I12-F2进行IGBT驱动电路的设计,对2ED020I12-F2的工作过程进行了分析,研究了芯片对IGBT的开通关断及过压过流保护等的工作原理。并运用2ED020I12-F2及其他器件设计了带有变压器隔离与自给电源功能的IGBT驱动电路,且通过实际试验证明了驱动电路设计的正确性与可靠性。

关键词: 绝缘栅双极型晶体管, 2ED020I12 F2, 驱动电路

Abstract:

ICs 2ED020I12-F2 is designed and the working process of 2ED020I12-F2 driving circuitry is analyzed in detail.The principle of 2ED020I12-F2's switching and over-current protection is researched.Finally,2ED020I12-F2-based IGBT driving circuitry with transformer isolation and self-power supply function are designed and optimized.Tests verify the correctness and reliability of the driving circuit.

Key words: insulated gate bipolar transistor;2ED020I12 F2;driving circuitry

中图分类号:

TN710.2

马立新,费少帅,张海兵,栾健. 基于2ED020I12-F2的IGBT驱动电路设计[J]. , 2015, 28(1): 5-.

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