离子注入对插入损耗和隔离度影响的研究

›› 2016, Vol. 29 ›› Issue (6): 107-.

离子注入对插入损耗和隔离度影响的研究

吴忆茹，侯飞凡，张俊龙，郝志

(1. 上海理工大学光电信息与计算机工程学院，上海 210094；
2. 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司研发部，上海 201203)

出版日期:2016-06-15 发布日期:2016-06-22
作者简介:吴忆茹（1989-），女，硕士研究生。研究方向：电子与通信工程。

Rearch of Implant affect Insertion Loss and Isolation

WU Yiru，HOU Feifan，ZHANG Junlong，HAO Zhi

(1. OpticalElectrical and Computer Engineering ,University of Shanghai of Science and Technology, Shanghai 210094, China；2. Semiconductor Manufacturing International (Shanghai)

Online:2016-06-15 Published:2016-06-22

摘要/Abstract

摘要：

基于一个典型的013 μm绝缘体上硅，射频开关电路工艺流程，分析了离子掺杂工艺流程对射频开关导通电阻Ron和关断电容Coff的影响。通过N型MOS管的浅掺杂注入后热退火温度和N型MOS管浅掺杂能量的分批实验，证实了退火温度可影响射频开关的导通电阻和关断电容。进一步实验结果显示，浅掺杂注入的砷（As）和磷（P）注入的剂量是主导因素，各自对导通电阻和关断电容值的影响均为线性且趋势相反，为基于013 μm SOI的射频开关性能的优化提供了依据。

关键词: SOI, 射频开关, 插入损耗, 隔离度, 掺杂能量, 剂量

Abstract:

Based on a typical 013 μm RF Switch SOI technics flow, analyze the effect of NLDD (NMOS Lightly Dropped Drain) technics to switch of Ron and Coff. Based on the experiment result of NMOS NLDD RTA and further discuss to NMOS NLDD IMP, proved RTA can effect Ron and Coff. The result shows dose of As and P acted as main effector to the research, present a regular linear trend to Ron and Coff which share an inverse tendency, thus providing a reference of RF switch optimizing method based on 013 μm SOI technic.

Key words: SOI, RF switch, insertion loss, isolation, doping energy, dose

中图分类号:

TN432

吴忆茹，侯飞凡，张俊龙，郝志. 离子注入对插入损耗和隔离度影响的研究[J]. , 2016, 29(6): 107-.

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