摘要:
为了测量两种有源区材料半导体激光器的温度灵敏度,文中对InGaAsP/GaAs无铝和AlGaInAs/AlGaAs/GaAs有铝的808 nm大功率半导体激光器,采用阈值电流法衡量两种有源区材料激光器的特征温度。在各种温度下实验性地测量激光器的P-I曲线,并采用线性拟合法得到阈值温度线性关系,实验结果表明有铝激光器温度性能明显优于无铝激光器。
中图分类号:
李雅静,彭海涛. 有铝激光器和无铝激光器特征温度对比研究[J]. , 2015, 28(9): 172-.
LI Yajing,PENG Haitao. Study on Characteristic Temperature of Al-containing and Al-free High Power Semiconductor Laser Diodes[J]. , 2015, 28(9): 172-.