CMOS伪差分E类射频功率放大器设计

›› 2010, Vol. 23 ›› Issue (10): 49-52.

CMOS伪差分E类射频功率放大器设计

罗志聪,黄世震

(1.福建农林大学机电工程学院,福建福州 350002;2.福州大学福建省微电子与集成电路重点实验室,福建福州 35002)

出版日期:2010-10-15 发布日期:2010-12-31
作者简介:罗志聪(1982-),男,硕士研究生,助教。研究方向:射频集成电路设计与应用和电源管理电路。

Design of the Pseudo-differential Class-E RF Power Amplifier in CMOS Process

LUO Zhi-Cong, HUANG Shi-Zhen

(1.Mechanical and Electrical Engineering College,Fujian Agriculture And Forestry University,Fuzhou 350002,China;
2.Fujian key Laboratory of Microelectronics & Integrated Circuits,Fuzhou University,Fuzhou 350002,China)

Online:2010-10-15 Published:2010-12-31

摘要/Abstract

摘要：

分析了E类功放的非理想因素,其中着重分析寄生电感对系统性能的影响,采用伪差分E类功放结构有效地抑制寄生电感的影响。最后基于理想的设计方程和Load Pull技术,采用 0.18 μm CMOS工艺,设计出高效率的差分E类功率放大器。在电源电压1.8 V,温度25 ℃,输入信号0 dBm条件下,具有最大输出功率26.1 dBm,PAE为60.2%。

关键词: 伪差分E类, 射频功率放大器, Load pull技术, 寄生电感, CMOS

Abstract:

The non-ideal factors of Class E power amplifiers are analyzed with emphasis on the Parasitic inductance effect,which is effectively suppressed by using the pseudo-differential Class E power amplifier structure.Based on the ideal design equations and load pull techniques.an efficient differential class E power amplifier is designed in 0.18 μm TSMC process.Simulation results using ADS (Advanced Design System) show that the power amplifier can deliver 26.1 dBm output power with 60.2 % power-added-efficiency respectively under a single supply voltage of 1.8 V and input power of 0 dBm.

Key words: differential class-E;RF power amplifier;load pull;parasitic inductance;CMOS;bluetooth

中图分类号:

TP722

罗志聪, 黄世震. CMOS伪差分E类射频功率放大器设计[J]. , 2010, 23(10): 49-52.

LUO Zhi-Cong, HUANG Shi-Zhen. Design of the Pseudo-differential Class-E RF Power Amplifier in CMOS Process[J]. , 2010, 23(10): 49-52.

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