集电结电容CBC对HBT功率放大器非线性的影响

›› 2011, Vol. 24 ›› Issue (1): 115-.

集电结电容C_BC对HBT功率放大器非线性的影响

丁杰,胡善文,张晓东,高怀

(1.东南大学苏州研究院高频高功率器件与集成技术研究中心,江苏苏州 215123;2.东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心,江苏南京 210096;3.苏州工业园区教育投资发展有限公司&苏州英诺迅科技有限公司射频功率器件及电路技术中心,江苏苏州 215123)

出版日期:2011-01-15 发布日期:2010-12-30
作者简介:丁杰(1985-),男,硕士研究生。研究方向:单片微波集成电路设计。胡善文(1985-),男,博士研究生。研究方向:单片微波集成电路设计。高怀(1961-),男,博士生导师。研究方向:高频高功率器件及单片微波集成电路设计。

The Effects of C_BC on the Nonlinearity of the HBT Power Amplifier

DING Jie, HU Shan-Wen, ZHANG Xiao-Dong, GAO Huai

Online:2011-01-15 Published:2010-12-30

摘要/Abstract

摘要：

GaAs HBT是设计微波单片功率放大器的主要工艺之一,而集电结电容C_BC是HBT功率放大器产生非线性的主要参量。文中采用Gummel-Poon晶体管模型分析了HBT C_BC随电路偏置变化的规律,给出了C_BC随输入功率的变化趋势,并基于Microwave Office软件进行了仿真验证。理论分析及仿真结果表明:C_BC随输入信号功率的增大而增大,是功率放大器产生幅度和相位失真的主要原因,最后通过电路设计及测试验证了理论分析及仿真的正确性。

关键词: 集电结电容, 异质结双极晶体管, 功率放大器, 非线性

Abstract:

GaAs HBT is one of the main technologies for designing monolithic microwave power amplifiers (PAs).The capacitor between the base terminal and collector terminal C_BC is the dominant nonlinear element in HBT PAs.This paper analyzes the law of variation of HBT C_BC with circuit bias using the Gummel-Poon transistor model,and presents the tendency of C_BC to vary with input power.Simulation results based on AWR Microwave Office show that the main reason for the PAs′ amplitude and phase distortion is that C_BC increases with the rise of the input signal power.Circuit design and testing verify the correctness of the theoretical analysis and simulation.

Key words: C_BC;HBT;power amplifier;nonlinearity

中图分类号:

TN431

丁杰, 胡善文, 张晓东, 高怀. 集电结电容C_BC对HBT功率放大器非线性的影响[J]. , 2011, 24(1): 115-.

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