热载流子效应对CCD片上放大器寿命的影响

›› 2014, Vol. 27 ›› Issue (4): 69-.

热载流子效应对CCD片上放大器寿命的影响

汪凌,唐利,廖晓航,任利平

(重庆光电技术研究所第1研究室,重庆 400060)

出版日期:2014-04-15 发布日期:2014-05-14
作者简介:汪凌(1973—),女,工程师。研究方向:CCD器件测试和可靠性。E-mail:2909421@163.com

Effect of the Hot Carrier on the Life of the CCD On-chip Amplifier

WANG Ling,TANG Li,LIAO Xiaohang,REN Liping

(Research Section 1,Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,China)

Online:2014-04-15 Published:2014-05-14

摘要/Abstract

摘要：

针对CCD片上放大器的寿命进行了研究。通过设计独立的MOSFET,使用衬底电流模型进行热载流子效应分析,研究其特性参数Gm退化量与退化时间关系,由此评价组成CCD片上放大器的寿命。研究结果表明,CCD片上放大器寿命随着栅长的减小而降低,制作LDD结构可提高CCD片上放大器寿命。

关键词: CCD, 放大器, 寿命, 热载流子效应

Abstract:

The life of the CCD on-chip amplifiers is studied.The relation between the characteristic parameters of Gm degradation and degradation time is found through hot carrier effect analysis using substrate current model on a tailor-made MOSFET to determine the composition of CCD on-chip amplifier life.The results show that the service life of CCD on-chip amplifiers decreases with the gate length,and the LDD structure can prolong the CCD chip amplifier service life.

Key words: CCD;amplifier;life;hot carrier effect

中图分类号:

TN722

汪凌,唐利,廖晓航,任利平. 热载流子效应对CCD片上放大器寿命的影响[J]. , 2014, 27(4): 69-.

WANG Ling,TANG Li,LIAO Xiaohang,REN Liping. Effect of the Hot Carrier on the Life of the CCD On-chip Amplifier[J]. , 2014, 27(4): 69-.

[1]	宿晓航,王立华,陈佳明. 基于多体动力学与有限元的油缸系统疲劳寿命研究[J]. 电子科技, 2022, 35(1): 40-44.
[2]	周佳,王然. 目标覆盖中基于权重的最大网络寿命算法[J]. 电子科技, 2021, 34(7): 37-42.
[3]	梁龙基,张靖,何宇,曾希皙,陈朝宽. 基于博弈论的互联微电网多主体协同优化配置[J]. 电子科技, 2021, 34(7): 43-49.
[4]	毛云山,尉旭波. 一种宽频带大动态AGC电路设计[J]. 电子科技, 2021, 34(2): 57-61.
[5]	何强,杨青慧,张怀武. 一种射频放大器上电时序及偏置点控制方法[J]. 电子科技, 2021, 34(2): 1-6.
[6]	赵一鹤,邵杰,程永亮. 基于编码—解码模型的D类功率放大器行为建模[J]. 电子科技, 2020, 33(2): 20-24.
[7]	王纪伟. 基于ARM的功率放大器控制系统设计[J]. 电子科技, 2020, 33(11): 46-48.
[8]	邝小飞，陶祺，范富轩. 生物医学信号前置放大器的设计与仿真[J]. , 2018, 31(4): 5-.
[9]	张家宇，常树茂. 基于ADS的功率放大器仿真模型设计[J]. , 2016, 29(7): 136-.
[10]	李威,张兆浩,吴次南. 低噪声低功耗斩波运放的分析与设计[J]. , 2016, 29(5): 26-.
[11]	董勇,瑚琦,高鹏飞. 基于CPLD的线阵CCD信号采集系统设计[J]. , 2016, 29(3): 154-.
[12]	曹华杰,吕传龙,刘浩东. 构建基于线性CCD的直立行走嵌入式系统[J]. , 2016, 29(2): 58-.
[13]	严继进,蔡斐. 一种E类高效GaN HEMT功率放大器设计[J]. , 2016, 29(2): 134-.
[14]	张庆重,胡诗锦,石玉. 基于AD8306的参考源自动切换电路设计[J]. , 2016, 29(2): 137-.
[15]	赵锡年，瑚琦，高鹏飞. 基于CPLD的面阵CCD驱动[J]. , 2016, 29(11): 35-.